Numărul de produs al producătorului:
TSM900N06CP ROG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM900N06CP ROG-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
4537 Piese Noi Originale În Stoc
12897668
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM900N06CP ROG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TSM900
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM900N06CPROGCT
TSM900N06CP ROGCT
TSM900N06CPROGDKR
TSM900N06CP ROGDKR
TSM900N06CPROGTR
TSM900N06CP ROGTR-DG
TSM900N06CP ROGDKR-DG
TSM900N06CP ROGCT-DG
TSM900N06CP ROGTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
SI2102-TP
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323
TSM4NB65CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
